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GaN/SiC驱动器

｜功率革新｜去散热器设计

为基于工业机器人、伺服系统应用，可提供基于第三代半导体的高密度驱动定制化解决方案，

通过GaN（氮化镓）与SiC（碳化硅）重构功率分布设计：

  • 物理级能效跃迁

｜ 传统Si基困局 ｜ ---> GaN/SiC破局 ｜
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｜开关频率↑→效率↓ ｜ ✔️ 开关频率翻倍（2MHz）｜
｜频率↑→电容体积↑ ｜ ✔️ 电容体积缩减70%         ｜
｜散热器占空间40% ｜ ✔️ 彻底取消散热器             ｜

  •  四大维度重构

▶ 开关损耗大幅降低
・GaN零反向恢复特性 + 超低Coss损耗
→ 系统损耗直降50%（对比IGBT）
・SiC超低导通电阻（Rds(on)＜5mΩ）
→ 母线电压1000V仍保持95%效率

▶ 极致空间征服
・GaN芯片面积仅为Si的1/4
→ 单轴驱动器尺寸＜信用卡（80×50mm）
・高频特性缩减电感/电容用量
→ 多轴伺服模组功率密度突破50kW/L

▶ 系统成本蒸发
・取消散热器+精简电容/电感
→ 物料成本降低30%
・无风扇设计（MTBF＞10万小时）
→ 维护成本归零

▶ 动态性能核爆
・纳秒级开关速度（＜100ns）
→ 电流响应速度提升5倍
・死区时间压缩至50ns
→ 电机转矩脉动＜0.5%

  •  场景化应用矩阵

│工业机器人关节：3kg负载关节模组厚度＜35mm
│多轴伺服驱动：12轴控制系统体积缩减60%
│AGV轮毂电机：轮内直驱方案功率密度8kW/kg
│半导体机械臂：电磁干扰降低90%（满足真空腔要求）

由哈工大功率电子实验室提供核心拓扑支持，提供从器件选型、磁热耦合仿真到EMC设计的全链路开发，开启驱动系统新纪元。